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一种相位调制器及谐振腔异质集成芯片制造技术
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文档序号:25833231
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本发明公开了一种相位调制器及谐振腔异质集成芯片。在铌酸锂薄膜基片上设置氮化硅调制谐振模块;氮化硅调制谐振模块包括铌酸锂波导相位调制单元、层间耦合单元和氮化硅谐振单元;铌酸锂波导相位调制单元的输入端接收激光器输出的光,铌酸锂波导相位调制单元对...
该专利属于北京航空航天大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京航空航天大学授权不得商用。
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