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本发明提供一种集成型GaN器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体外延结构上制备不同器件的源漏电极，制备器件隔离结构，刻蚀外延帽层和势垒层，制备显露GaN沟道层的栅极开口，外延帽层及势垒层采用不同工艺去除，制备栅介质层及栅极结构，得到不同器...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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