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本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器，即包括有刻蚀腔体、介质窗片和冷却气导管，其中，所述介质窗片包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片和下层介质窗片，在所述上层介质窗片的下表面和/或所述下层介质...
该专利属于上海邦芯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海邦芯半导体设备有限公司授权不得商用。

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