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本发明提供了一种晶圆钝化层缺陷的检测方法，包括以下步骤：(1)设计文件导入阶段中，在晶圆划片槽区域插入检测电路结构；在晶圆WAT测试阶段中，测试晶圆中该检测电路结构的电容前值和电阻前值；(2)将步骤(1)所述晶圆进行压力蒸煮后，对晶圆表面进...该专利属于广芯微电子(广州)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广芯微电子(广州)股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种晶圆钝化层缺陷的检测方法，包括以下步骤：(1)设计文件导入阶段中，在晶圆划片槽区域插入检测电路结构；在晶圆WAT测试阶段中，测试晶圆中该检测电路结构的电容前值和电阻前值；(2)将步骤(1)所述晶圆进行压力蒸煮后，对晶圆表面进...