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本实用新型提供了一种存储器，衬底上形成多个遮蔽图案，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述遮蔽图案可以同时作为衬底上的遮蔽层和保护所述字线结构的栅绝缘层，相较于现有的存储器，本实用新型中的存储器可以省略去除衬...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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