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本发明公开了一种基于AIN/PSS复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，所述深紫外发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、AlN、AlGaN/AlN超晶格、n‑AlGaN接触层、V‑pits层、量子阱有源区、AlGaN...
该专利属于东莞理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过东莞理工学院授权不得商用。

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