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本发明公开了一种具有非穿透沟槽的窄边缘电流型硅PIN辐射探测器及其制备方法。在I区半导体硅片的正面和背面通过离子注入工艺形成P...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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