温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件在沟槽内制作沟槽源结构、P型多晶硅和沟槽栅结构，其中，沟槽源结构可以降低栅漏电容(Cgd)，降低开关损耗，当源介质层选用...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。