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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有第二鳍部层和第二鳍部层上的第一鳍部层；在衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅极层，伪栅极结构横跨第一鳍部层和第二鳍部层；在伪栅极结构两侧的第一鳍部层和第二鳍部层内形成源漏开口；在...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。