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本发明提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包含基底具有第一导电型，外延层具有第一导电型，设置于基底上，且外延层内具有沟槽，第一井区设置于外延层中且在沟槽下方，且具有不同于第一导电型的第二导电型，第一栅极电极设置于沟槽中，且具有第二导电...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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