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注入离子以在半导体装置中形成劈开层会损害诸如高K电介质的敏感材料。在形成劈开层并修复由离子注入引起的损害的过程中，经由基板的电路层注入离子以形成劈开平面。基板在第一温度下暴露于氢气混合物第一时间，以修复由注入的离子引起的损害。然后可以执行劈...
该专利属于硅源公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅源公司授权不得商用。

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