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本发明提供了一种相变辅助磁盘介质、磁盘、装置及方法，所述相变辅助磁盘介质包括：衬底；形成在所述衬底上的相变材料层，所述相变材料层在预设条件下发生相变；形成在所述相变材料层上的磁性材料层，其中，所述磁性材料层在所述相变材料层发生相变时处于未磁...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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