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带晶种升降单元的铸造硅单晶炉制造技术
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文档序号:25676462
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本实用新型公开了一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉。所述的铸造硅单晶炉,包括炉体、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元;所述的晶体生长单元位于炉体内;所述的晶种升降单元位于炉体上方,并穿进炉体至晶体生长单元,用于将晶种插入到晶体生长单元;所述...
该专利属于田达晰所有,仅供学习研究参考,未经过田达晰授权不得商用。
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