温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种等离子体处理装置,包括:反应腔;基座,基座上设置有静电夹盘,用于固定待处理基片,一个源射频电源连接到基座或气体喷淋头及一个偏置射频电源连接到基座;气体喷淋头,用于引入气体至反应腔内,气体喷淋头与基座之间为等离子体处理区域...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种等离子体处理装置,包括:反应腔;基座,基座上设置有静电夹盘,用于固定待处理基片,一个源射频电源连接到基座或气体喷淋头及一个偏置射频电源连接到基座;气体喷淋头,用于引入气体至反应腔内,气体喷淋头与基座之间为等离子体处理区域...