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具有V族掺杂剂的光伏器件和半导体层以及用于形成该光伏器件和该半导体层的方法技术
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下载具有V族掺杂剂的光伏器件和半导体层以及用于形成该光伏器件和该半导体层的方法的技术资料
文档序号:25645697
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光伏器件(100)能够包括吸收层(160)。吸收层(160)能够p型掺杂有V族掺杂剂并且能够具有大于4x10...
该专利属于第一阳光公司所有,仅供学习研究参考,未经过第一阳光公司授权不得商用。
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