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本实用新型提供了一种沟槽栅场效应晶体管及存储器。通过在栅电极中的第一栅极导电层和第二栅极导电层之间设置隔离薄膜层，以避免第一栅极导电层和第二栅极导电层之间相互干扰，并可以对第一栅极导电层和第二栅极导电层的参数分别进行调整，以提高所构成的栅电...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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