温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

两对对准标靶(一对对齐，另一对错位一偏置距离)形成在不同的掩模上以产生第一对共轭干涉图案。另一对对准标靶也形成于掩模上以产生相较于该第一对倒置的第二对共轭干涉团。当使用该掩模所形成的图案被覆盖时，两对共轭干涉图案中的该第一干涉图案和该第二干...
该专利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯(美国)集成电路科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。