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本实用新型涉及GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置，所述浮渣过滤装置包括装料坩埚和过滤坩埚；所述装料坩埚呈上下开口的筒状；所述过滤坩埚为上大下小的圆台状，包括上过滤板、下过滤板、外壁面以及由上过滤板、下过滤板和外壁面围合而成的内腔；...
该专利属于有研光电新材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研光电新材料有限责任公司授权不得商用。

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