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本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤ａ、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；ｂ、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；...
该专利属于涂相征;李韫言所有，仅供学习研究参考，未经过涂相征;李韫言授权不得商用。

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