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本发明公开了一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法，包括依次层叠的衬底、外延层，外延层上还有单层栅介质层，在栅介质层中设置凹槽，所述凹槽有两侧壁，所述侧壁为多阶连贯斜面，深阶斜面相对于水平面的角度大于上阶斜面相对于水平面的角度；本...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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