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以ＳｉＯ↓［２］层（２）为刻蚀阻挡层，一直到ＳｉＯ↓［２］层（２）为止，刻蚀对应于ｎ型单晶Ｓｉ层（１）的压力敏感区域的部分。用刻蚀法除去已露了出来的ＳｉＯ↓［２］层（２）。刻蚀规定的量的ｎ型单晶Ｓｉ层（３）压力敏感区域，以形成膜片（４）。借...
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