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本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种MIM电容器及其制造方法。MIM电容器结构制备于金属互连结构上，金属互连结构的上表面中形成金属图形，第一透明导电层对准金属图形，形成MIM电容器结构的下极板；第二透明导电层对准金属图形，形成MIM电...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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