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本发明公开了一种FINFET的制造方法，包括步骤：步骤一、完成多晶硅伪栅去除之前的步骤；步骤二、去除所述多晶硅伪栅；步骤三、在FINFET的NMOS的形成区域中形成具有收缩性的SMT氮化硅；步骤四、进行退火使所述SMT氮化硅进一步收缩，收缩...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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