温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种VCSEL芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。