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本发明实施例公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。该方法包括：首先，在第一电极的上方和侧壁沉积阻变材料层和第二电极；之后，使用化学机械抛光工艺(CMP)一次磨去顶部，使阻变材料层形成于第一电极的侧壁，并在水平方向形成导电细丝。化学机械抛...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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