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本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。其中，在制造过程中，巧妙地利用蚀刻终止层在第一电极侧面形成一阶梯形状并暴露出第一电极的侧面；然后，在形成电阻转变层时，使电阻转变层覆盖在第一电极的侧面及上方，如此形成至少一个夹角结构；之后，在...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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