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本发明公开了一种宽光谱高吸收太阳能电池，该太阳能电池是半导体光伏器件，包括：特定本征吸收层厚度；本征吸收层厚度由光子晶体的陷光效率决定；器件由下往上依次设有衬底层、绝缘掩埋层、顶层吸收层(如Si层)、抗反射薄膜层；器件的顶层吸收区两侧分别注...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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