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本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种高介电常数栅介质材料及其制备方法。该高介电常数栅介质材料，自下至上，包括依次叠加的AlN层、AlO...
该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司授权不得商用。

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