温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。晶体管中的栅极介质层具有上层部和下层部，并且上层部为叠层设置，从而可以在不改变下层部的厚度的基础上，增加上层部的厚度。如此，即能够在维持晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流(GIDL)现象...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。