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本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管,二极管包括:PN结,形成所述PN结的第一导电区域和第二导电区域,设置有等离子体扩散层的扩散单元,在所述扩散单元中,通过所述等离子体扩散通道连接第一区域、第二区域和第三区域,以使浪涌大电流...该专利属于北京天岳京成电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京天岳京成电子科技有限公司授权不得商用。
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