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本发明涉及多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，第二导电区域排布有多个元胞；多个元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，多个元胞中的第二元胞包括第三区域；第一区域与外延层间形成第一PN结，第二区域与外延层间形成第二PN结...
该专利属于北京天岳京成电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京天岳京成电子科技有限公司授权不得商用。

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