温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管,包括:第二导电区域,其中,所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成;所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道,所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元...该专利属于北京天岳京成电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京天岳京成电子科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管,包括:第二导电区域,其中,所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成;所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道,所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元...