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一种增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成源极、漏极和二维电子气消耗装置...
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