温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种非晶InGaN/Si异质结太阳电池的装置及其制备方法，该装置中的脉冲激光器发出的高能激光束被分光镜分为两束，分别经过两个聚焦透镜从窗口进入沉积室照射到In/GaN双靶材上，靶材表面被照射区域瞬间被烧蚀产生等离子体羽辉，通过微...
该专利属于广西大学所有，仅供学习研究参考，未经过广西大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。