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本发明公开一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪,所述方法包括:采用硅基薄膜生长刻蚀技术在硅衬底上形成多晶硅层和介质层的夹心结构;采用硅通孔TSV技术在晶圆上形成微观流体通道;采用静电释放ESD在介质层中形成介质层针孔;采用湿法...该专利属于深圳市儒翰基因科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市儒翰基因科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪,所述方法包括:采用硅基薄膜生长刻蚀技术在硅衬底上形成多晶硅层和介质层的夹心结构;采用硅通孔TSV技术在晶圆上形成微观流体通道;采用静电释放ESD在介质层中形成介质层针孔;采用湿法...