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实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法技术
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下载实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法的技术资料
文档序号:25526708
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本发明公开一种实现空穴局部钝化接触的方法,该方法可通过采用印刷硼浆或打印硼墨水实现选择性硼掺杂,也可通过选择性的硼离子注入来实现选择性硼掺杂,形成的局部掺硼多晶硅硼表面浓度不低于7E19cm...
该专利属于常州时创能源股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州时创能源股份有限公司授权不得商用。
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