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一种新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法，装置包括：位于主体腔内的上电极和下电极，上电极和下电极相对设置，上电极和下电极施加的射频频率相同,上电极和下电极之间的电位幅值差小于等于第一阈值，上电极和下电极之间的电位相位差小于等于第二阈值；侧面电...
该专利属于上海邦芯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海邦芯半导体设备有限公司授权不得商用。

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