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本发明公开了一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，包括：⑴对硅片碱制绒，在硅片正面和背面上形成减反射绒面；⑵将硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片正面和背面形成氧化层；⑶保护硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层；⑷对硅片背面的减反射绒...
该专利属于天津爱旭太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。

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