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本发明公开了一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，包括压电驱动层、硅结构层和电可调磁性膜，所述压电驱动层和电可调磁性膜分别位于硅结构层的上、下表面，所述压电驱动层自下而上依次设有包括底电极、氮化铝层和顶电极，当调控磁场时，在底电极和顶电...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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