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本发明公开了一种制作磁性随机存储器单元阵列的方法，在磁性隧道结以及其底电极刻蚀的时候采用一次光刻，一次真空PUMP‑DOWN，两步刻蚀工艺，分别对磁性隧道结和底电极进行单独刻蚀。本发明的制作磁性随机存储器单元阵列的方法，能够保证底电极的关键...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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