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本发明涉及一种含有石墨烯插层的GaN/AlGaN超晶格薄膜，通过在现有的GaN/AlGaN超晶格薄膜中插层石墨烯层，以在衬底表面制得结构为(GaN/石墨烯/AlGaN石墨烯)...
该专利属于青岛粲耀新材料科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛粲耀新材料科技有限责任公司授权不得商用。

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