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本发明公开了一种厚膜热流计的共形制备方法，属于厚膜传感器领域，包括：S1在基体待测部位制备凹槽，凹槽用于提供制备热阻层的场所，S2在凹槽中制备热阻层，S3制备绝缘层，S4在绝缘层上制备热电正极、热电负极和热结点，形成热电堆图形，S5制备表面...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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