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本公开的实施例涉及相变存储器单元和存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金...该专利属于法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司授权不得商用。