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本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实现电连接，降低寄生效...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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