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本发明涉及一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，所属硅片研磨技术领域，包括如下操作步骤：1）获取最近m批硅片各自的研磨时间；2）确定下一批硅片的模糊研磨时间；3）获取最近一批每枚硅片的去除量并计算平均去除量dn及加工要求的目标去除量...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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