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本发明提供一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶的制备方法，包括如下步骤：(1)提供衬底；(2)于所述衬底上表面形成AlN薄层；(3)于所述AlN薄层上形成AlN纳米柱层，所述纳米柱层均匀排列，方向与厚度一致；(4)于所述AlN纳米柱层顶端生长二维具...
该专利属于无锡吴越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡吴越半导体有限公司授权不得商用。

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