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本发明公开了一种二维铁磁材料Fe3GeTe2和掺Co的Fe3‑xCoxGeTe2单晶生长方法，所述Fe3GeTe2是Fe、Ge和Te元素以3:1:2化学计量比形成的化合物，它是一种二维铁磁材料，容易机械剥离、相对难氧化，同时具有较高的居里温...
该专利属于李焱所有，仅供学习研究参考，未经过李焱授权不得商用。

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