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用于生成至少一个块状SiC单晶(2)的方法，其中，将至少一个SiC籽晶(8)放置在生长坩埚(3)的晶体生长区域(5)中；并且将SiC源材料(6)引入到SiC储层区域(4)，并且通过沉积从SiC生长气相中，生长出块状SiC单晶(2)。生长坩埚...
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