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本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境...该专利属于松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学授权不得商用。