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本发明涉及一种半导体装置及其形成方法，该方法包括以下步骤：在半导体基底上设置有芯片区、围绕所述芯片区的保护环区域以及围绕所述保护环区域的切割线区域；在所述半导体基底的上表面形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；在所述第一沟槽中填充介电材料以形...
该专利属于侯立东所有，仅供学习研究参考，未经过侯立东授权不得商用。

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